SK Hynix از حافظه‌های جدید HBM2E خود رونمایی کرد


SK Hynix از حافظه‌های جدید HBM2E خود رونمایی کرد

SK Hynix اعلام کرد که توانسته حافظه‌های HBM2E را با بالاترین پهنای باند حاضر در صنعت تولید کند. حافظه‌ جدید HBM2E تقریبا تا ۵۰ درصد پهنای باند بیشتر و ۱۰۰ درصد حجم بالاتری را نسبت به مدل قبلی HBM2 پدید آورده است. HBM2E ساخت SK Hynix از پهنای باند بیش از ۴۶۰ گیگابایت بر ثانیه که بر پایه ۳٫۶ گیگابیت بر ثانیه سرعت برای هر پین با ۱۰۲۴ ورودی/خروجی است، پشتیبانی می‌کند.

با توجه به استفاده از تکنولوژی TSV حداکثر هشت چیپ ۱۶ گیگابیتی به صورت عمودی رو هم انباشته شده و یک پکیج یکتا و متراکم با حجم ۱۶ گیگابایت را ایجاد می‌کنند. HBM2E ساخت SK Hynix یک راه حل بهینه برای چهارمین عصر این صنعت است که برای گرافیک‌های بالا رده، ابر کامپیوترها، یادگیری ماشین و سیستم‌های هوش مصنوعی با نیاز به این سطح از کارایی حافظه، استفاده خواهد شد. بر خلاف محصولات DRAM موجود که به شکل یک ماژول کامل روی مادربرد نصب می‌شوند، چیپ‌های HBM در نزدیکی (روی یک اینترکانکت) پردازنده‌ها مانند گرافیک‌ها و چیپ‌های دیگر قرار می‌گیرند و فاصله بسیار ناچیزی دارند که باعث انتقال داده سریع‌تر می‌شود.

SK Hynix از حافظه‌های جدید HBM2E خود رونمایی کرد

همچنین Jun-Hyun Chun مدیر بخش تجارت HBM این شرکت در این باره اعلام کرد:

SK Hynix با عرضه اولین حافظه HBM در سال ۲۰۱۳ پیشگام بودن خود در این بخش را به اثبات رسانده. SK Hynix در سال ۲۰۲۰ تولید انبوه راه آغاز می‌کند، زمانیکه انتظار می‌رود بازار HBM2E شروع به فعالیت کند و همچنان با قدرت به پیشگامی خود در بازار حافظه‌های پرمیوم ادامه می‌دهد.


منبع : سخت افزار

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *